Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ge-Sb-Te Chalcogenide Thin Films Deposited by Nanosecond, Picosecond, and Femtosecond Laser Ablation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F19%3A39915092" target="_blank" >RIV/00216275:25310/19:39915092 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.mdpi.com/2079-4991/9/5/676" target="_blank" >https://www.mdpi.com/2079-4991/9/5/676</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.3390/nano9050676" target="_blank" >10.3390/nano9050676</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Ge-Sb-Te Chalcogenide Thin Films Deposited by Nanosecond, Picosecond, and Femtosecond Laser Ablation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Ge-Sb-Te thin films were obtained by ns-, ps-, and fs-pulsed laser deposition (PLD) in various experimental conditions. The thickness of the samples was influenced by the Nd-YAG laser wavelength, fluence, target-to-substrate distance, and deposition time. The topography and chemical analysis results showed that the films deposited by ns-PLD revealed droplets on the surface together with a decreased Te concentration and Sb over-stoichiometry. Thin films with improved surface roughness and chemical compositions close to nominal values were deposited by ps- and fs-PLD. The X-ray diffraction and Raman spectroscopy results showed that the samples obtained with ns pulses were partially crystallized while the lower fluences used in ps- and fs-PLD led to amorphous depositions. The optical parameters of the ns-PLD samples were correlated to their structural properties.

  • Název v anglickém jazyce

    Ge-Sb-Te Chalcogenide Thin Films Deposited by Nanosecond, Picosecond, and Femtosecond Laser Ablation

  • Popis výsledku anglicky

    Ge-Sb-Te thin films were obtained by ns-, ps-, and fs-pulsed laser deposition (PLD) in various experimental conditions. The thickness of the samples was influenced by the Nd-YAG laser wavelength, fluence, target-to-substrate distance, and deposition time. The topography and chemical analysis results showed that the films deposited by ns-PLD revealed droplets on the surface together with a decreased Te concentration and Sb over-stoichiometry. Thin films with improved surface roughness and chemical compositions close to nominal values were deposited by ps- and fs-PLD. The X-ray diffraction and Raman spectroscopy results showed that the samples obtained with ns pulses were partially crystallized while the lower fluences used in ps- and fs-PLD led to amorphous depositions. The optical parameters of the ns-PLD samples were correlated to their structural properties.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nanomaterials

  • ISSN

    2079-4991

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    9

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    14

  • Strana od-do

    "676-1"-"676-14"

  • Kód UT WoS článku

    000479007900018

  • EID výsledku v databázi Scopus