Comparative study of Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S thin films fabricated by sputtering and pulsed laser deposition
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F20%3A39916696" target="_blank" >RIV/00216275:25310/20:39916696 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.nature.com/articles/s41598-020-64092-3" target="_blank" >https://www.nature.com/articles/s41598-020-64092-3</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-64092-3" target="_blank" >10.1038/s41598-020-64092-3</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Comparative study of Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S thin films fabricated by sputtering and pulsed laser deposition
Popis výsledku v původním jazyce
This work reports the fabrication of luminescent quaternary sulfide thin films using radio-frequency sputtering and pulsed laser deposition, and the characterization of their chemical composition, morphology, structure, refractive index and Er3+ photoluminescence. The study of Er3+ 4I13/2 level lifetimes enables developing suitable deposition parameters; the dependency of composition, structural and spectroscopic properties on deposition parameters provides a way to tailor the rare earth-doped thin film properties. The effects of annealing on the sulfide films spectroscopy and lifetimes were assessed.
Název v anglickém jazyce
Comparative study of Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S thin films fabricated by sputtering and pulsed laser deposition
Popis výsledku anglicky
This work reports the fabrication of luminescent quaternary sulfide thin films using radio-frequency sputtering and pulsed laser deposition, and the characterization of their chemical composition, morphology, structure, refractive index and Er3+ photoluminescence. The study of Er3+ 4I13/2 level lifetimes enables developing suitable deposition parameters; the dependency of composition, structural and spectroscopic properties on deposition parameters provides a way to tailor the rare earth-doped thin film properties. The effects of annealing on the sulfide films spectroscopy and lifetimes were assessed.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20506 - Coating and films
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA19-24516S" target="_blank" >GA19-24516S: Chalkogenidové tenké vrstvy dopované ionty vzácných zemin pro detekci plynů ve střední infračervené oblasti spektra</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Scientific Reports
ISSN
2045-2322
e-ISSN
—
Svazek periodika
10
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
7997
Kód UT WoS článku
000560040700054
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85084684070