Solving BJT Circuits by Nodal Voltage Method with Application of Diakoptical Method
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25530%2F16%3A39901481" target="_blank" >RIV/00216275:25530/16:39901481 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Solving BJT Circuits by Nodal Voltage Method with Application of Diakoptical Method
Popis výsledku v původním jazyce
Bipolar transistor circuits are usually solved by their h-parameters description. However, for circuit solutions are commonly used Nodal Voltage Method based on the y-parameters. Therefore it is necessary to convert these h-parameters (hybrid parameters) to y-parameters (admittance parameters) firstly. After then the circuit is solved by hand. But the conversion of parameters is not required when diakoptical method is used. Thus this way of circuit solution is explained in this paper.
Název v anglickém jazyce
Solving BJT Circuits by Nodal Voltage Method with Application of Diakoptical Method
Popis výsledku anglicky
Bipolar transistor circuits are usually solved by their h-parameters description. However, for circuit solutions are commonly used Nodal Voltage Method based on the y-parameters. Therefore it is necessary to convert these h-parameters (hybrid parameters) to y-parameters (admittance parameters) firstly. After then the circuit is solved by hand. But the conversion of parameters is not required when diakoptical method is used. Thus this way of circuit solution is explained in this paper.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
International Conference on Applied Electronics
ISBN
978-80-261-0601-2
ISSN
1803-7232
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
35-38
Název nakladatele
IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Plzeň
Datum konání akce
6. 9. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000391238700007