Nízkoteplotní epitaxní růst kvartérních širokogapových SiCAlN

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F02%3APU29596" target="_blank" >RIV/00216305:26210/02:PU29596 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Low-temperature epitaxial growth of the quaternary wide band gap semiconductor SiCAlN

Popis výsledku v původním jazyce

Two compounds SiC and AlN, normally insoluble in each other below similar to2000 degreesC , are synthesized as a single-phase solid-solution thin film by molecular beam epitaxy at 750 degreesC. The growth of epitaxial SiCAlN films with hexagonal structure takes place on 6H-SiC(0001) substrates. Two structural models for the hexagonal SiCAlN films are constructed based on first-principles total-energy density functional theory calculations, each showing agreement with the experimental microstructures obsserved in cross-sectional transmission electron microscopy images. The predicted fundamental band gap is 3.2 eV for the stoichiometric SiCAlN film.

Název v anglickém jazyce

Low-temperature epitaxial growth of the quaternary wide band gap semiconductor SiCAlN

Popis výsledku anglicky

Two compounds SiC and AlN, normally insoluble in each other below similar to2000 degreesC , are synthesized as a single-phase solid-solution thin film by molecular beam epitaxy at 750 degreesC. The growth of epitaxial SiCAlN films with hexagonal structure takes place on 6H-SiC(0001) substrates. Two structural models for the hexagonal SiCAlN films are constructed based on first-principles total-energy density functional theory calculations, each showing agreement with the experimental microstructures obsserved in cross-sectional transmission electron microscopy images. The predicted fundamental band gap is 3.2 eV for the stoichiometric SiCAlN film.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review Letters

ISSN

0031-9007

e-ISSN

—

Svazek periodika

88

Číslo periodika v rámci svazku

20

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

206102-206106

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—