Deposition and in situ characterization of ultra-thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F03%3APU41935" target="_blank" >RIV/00216305:26210/03:PU41935 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Deposition and in situ characterization of ultra-thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Deposition of ultra-thin GaN layers and their analysis using XPS, SIMS, TOF-LEIS.
Název v anglickém jazyce
Deposition and in situ characterization of ultra-thin films
Popis výsledku anglicky
Deposition of ultra-thin GaN layers and their analysis using XPS, SIMS, TOF-LEIS.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
EVC 03 Abstracts
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
45-46
Název nakladatele
EVC
Místo vydání
Berlin
Místo konání akce
Berlin
Datum konání akce
23. 6. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—