TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F03%3APU41981" target="_blank" >RIV/00216305:26210/03:PU41981 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

Popis výsledku v původním jazyce

In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

Název v anglickém jazyce

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

Popis výsledku anglicky

In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ECOSS 22 CD

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

0-1

Název nakladatele

FÚ AV ČR

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

8. 9. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—