Analýza ultratenkých vrstev metodou TOF-LEIS: růst vrstev Ga a GaN na Si(111)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F04%3APU47893" target="_blank" >RIV/00216305:26210/04:PU47893 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)
Popis výsledku v původním jazyce
ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)
Název v anglickém jazyce
ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)
Popis výsledku anglicky
ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface Science
ISSN
—
e-ISSN
—
Svazek periodika
566-568
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
885-889
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—