Tvorba nanostruktur na Si(100) a GaAs(100) lokální anodickou oxidací
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F04%3APU47917" target="_blank" >RIV/00216305:26210/04:PU47917 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(100) by local anodic oxidation
Popis výsledku v původním jazyce
Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(100) by local anodic oxidation
Název v anglickém jazyce
Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(100) by local anodic oxidation
Popis výsledku anglicky
Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(100) by local anodic oxidation
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
New Trend in Physics
ISBN
80-7355-024-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
226-229
Název nakladatele
VUT v Brně
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
11. 11. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—