Elektronová pohyblivost, koncentrace nosičů náboje a šumový parametr n-GaN - numerická analýza kvantového transportu

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU52212" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU52212 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electron Mobility, Carrier Concentration and Noise Parameter of n-GaN - Numerical Analyses by Quantum Transport
Popis výsledku v původním jazyce
Electron mobility, charge carrier concentration, resistivity and Hooge noise parameter of epitaxial n-GaN layer was analysed in terms of several scattering mechanisms and Handel quantum theory of noise. Numerical model in temperature range 20-300K was compared with experimental results of noise and Hall measurements and we found good agreement.
Název v anglickém jazyce
Electron Mobility, Carrier Concentration and Noise Parameter of n-GaN - Numerical Analyses by Quantum Transport
Popis výsledku anglicky
Electron mobility, charge carrier concentration, resistivity and Hooge noise parameter of epitaxial n-GaN layer was analysed in terms of several scattering mechanisms and Handel quantum theory of noise. Numerical model in temperature range 20-300K was compared with experimental results of noise and Hall measurements and we found good agreement.

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)