Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

1/f Noise in InAs/GaAs Quantum Dots and InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well LEDs and in quantum well laser diodes

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU38040" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU38040 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    1/f Noise in InAs/GaAs Quantum Dots and InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well LEDs and in quantum well laser diodes

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Semiconductor light emitting diodes (LEDs) and lasers based on self-organized quantum dots (QD) are very promising emitters with an enhanced radiation hardness. However, this promising feature is devaluated by the large dispersion in size, shape and stoichiometric composition of self-organized quantum dots and surrounding material. The experimental results of LF noise investigation of LEDs based on InAs quantum dots, LEDs based on InAs quantum dots with additional In0.2Ga0.8As quantum well (QW), llaserdiodes based on In0.2Ga0.8As quantum wells are presented in this work.

  • Název v anglickém jazyce

    1/f Noise in InAs/GaAs Quantum Dots and InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well LEDs and in quantum well laser diodes

  • Popis výsledku anglicky

    Semiconductor light emitting diodes (LEDs) and lasers based on self-organized quantum dots (QD) are very promising emitters with an enhanced radiation hardness. However, this promising feature is devaluated by the large dispersion in size, shape and stoichiometric composition of self-organized quantum dots and surrounding material. The experimental results of LF noise investigation of LEDs based on InAs quantum dots, LEDs based on InAs quantum dots with additional In0.2Ga0.8As quantum well (QW), llaserdiodes based on In0.2Ga0.8As quantum wells are presented in this work.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    CO-MAT-TECH 2003, 11th International scientific conference

  • ISBN

    80-277-1949-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1063-1066

  • Název nakladatele

    MtF STU Trnava

  • Místo vydání

    Bratislava

  • Místo konání akce

    Trnava

  • Datum konání akce

    16. 10. 2003

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku