Towards nanometer scale MOSFETs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39331" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39331 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Towards nanometer scale MOSFETs

Popis výsledku v původním jazyce

Two theoretical methods, the effective mass approximation and the tight binding method, that can be used for nanoscale MOSFETs modeling are briefly described, Both methods can be implemented on a PC computer and both give satisfactory results.

Název v anglickém jazyce

Towards nanometer scale MOSFETs

Popis výsledku anglicky

Two theoretical methods, the effective mass approximation and the tight binding method, that can be used for nanoscale MOSFETs modeling are briefly described, Both methods can be implemented on a PC computer and both give satisfactory results.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings od the Socrates Workshop 2003. Intensive Training Programme in Electronic System Design.

ISBN

80-214-2461-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

159-164

Název nakladatele

Technological Institute of Crete, Chania, Greece

Místo vydání

Chania, Greece

Místo konání akce

Technological Institute of Crete, Chania, Greece

Datum konání akce

22. 9. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—