Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Nanoelectronic device structures at terahertz frequency

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39335" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39335 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Nanoelectronic device structures at terahertz frequency

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Potential barriers of different types (rectangular, triangle, parabolic) with a dc-bias and a small ac-signal in the THz-frequency band are investigated in this paper. The height of the potential barrier is modulated by the high frequency signal. If electrons penetrate through the barrier they can emit or absorb usually one or even more energy quanta, thus the electron wave function behind the barrier is a superposition of different harmonics. If the harmonics of the electron current density are known tthe complex admittance and other electrical parameters of the structure can be found.

  • Název v anglickém jazyce

    Nanoelectronic device structures at terahertz frequency

  • Popis výsledku anglicky

    Potential barriers of different types (rectangular, triangle, parabolic) with a dc-bias and a small ac-signal in the THz-frequency band are investigated in this paper. The height of the potential barrier is modulated by the high frequency signal. If electrons penetrate through the barrier they can emit or absorb usually one or even more energy quanta, thus the electron wave function behind the barrier is a superposition of different harmonics. If the harmonics of the electron current density are known tthe complex admittance and other electrical parameters of the structure can be found.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    3rd International conference on Advanced Engineering Design AED 2003

  • ISBN

    80-86059-35-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Czech Technical University

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    1. 7. 2003

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku