Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Měření driftové délky fotoindukovaných nábojů a děr v napařené elektroluminiscenční vrstvě ZnS:Mn řízené střídavým proudem

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44978" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44978 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Photo-induced charge and hole drift length measurement of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Photo-induced charge (PIQ) measurements are employed for the characterization of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film-electroluminescent (ACTFEL) devices. By changing the polarity of the applied voltage pulse, either electron or hole transportmay be studied. PIQ trends indicate that electron transport is significantly more efficient than hole transport due to hole trapping in the ZnS. Hole trapping is characterized by a drift length of ~180 ? 70 nm, a hole lifetime of ~2 ps, and a capture crross-section of ~7 × 10?13 cm2.

  • Název v anglickém jazyce

    Photo-induced charge and hole drift length measurement of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices

  • Popis výsledku anglicky

    Photo-induced charge (PIQ) measurements are employed for the characterization of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film-electroluminescent (ACTFEL) devices. By changing the polarity of the applied voltage pulse, either electron or hole transportmay be studied. PIQ trends indicate that electron transport is significantly more efficient than hole transport due to hole trapping in the ZnS. Hole trapping is characterized by a drift length of ~180 ? 70 nm, a hole lifetime of ~2 ps, and a capture crross-section of ~7 × 10?13 cm2.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Polovodiče - lokální optické a elektrické vlastnosti</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Elektortechnika a informatika 2004

  • ISBN

    80-7043-300-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    63-66

  • Název nakladatele

    Fakulta elektrotechnická, Zapadočeská univezita v Plzni

  • Místo vydání

    Plzeň

  • Místo konání akce

    Nečtiny

  • Datum konání akce

    3. 11. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku