RTS v submikroné struktuře MOSFET a kvantové tečky

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU45837" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU45837 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
RTS in submicron MOSFETs and quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
In the present paper, emphasis is laid on those RTS showing a capture process, which deviates from the standard Schockley-Read-Hall kinetics. A modified two-step approach is proposed. In this case the charge carrier quantum transitions represent a primary process X(t), which involves two or three quantum states.
Název v anglickém jazyce
RTS in submicron MOSFETs and quantum dots
Popis výsledku anglicky
In the present paper, emphasis is laid on those RTS showing a capture process, which deviates from the standard Schockley-Read-Hall kinetics. A modified two-step approach is proposed. In this case the charge carrier quantum transitions represent a primary process X(t), which involves two or three quantum states.

Projekt
<a href="/cs/project/ME%20605" target="_blank" >ME 605: Šum HEMT pro globální komunikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of SPIE - Noise and Information in Nanoelectronics, Sensors, and Standards II
ISBN
0-8194-5394-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
64-73
Název nakladatele
The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers
Místo vydání
United States of America
Místo konání akce
Maspalomas, Gran Canaria
Datum konání akce
26. 5. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)