Vysokofrekvenční transport elektronů ve zjednodušeném modelu balistického tranzistoru MOSFET
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46139" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46139 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High-frequency electron transport in a model ballistic MOSFET
Popis výsledku v původním jazyce
Simplified one-dimensional MOSFET model with dc-bias and small microwave signal.
Název v anglickém jazyce
High-frequency electron transport in a model ballistic MOSFET
Popis výsledku anglicky
Simplified one-dimensional MOSFET model with dc-bias and small microwave signal.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
The 5th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2004
ISBN
0-7803-8535-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
219-222
Název nakladatele
IEEE - Catalog Number 04EX867
Místo vydání
USA
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
17. 10. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—