Limity použitelnosti tranzistorů MOSFET v nanotechnologiích
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46397" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46397 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Limits of MOSFET in nanotechnology
Popis výsledku v původním jazyce
Limits of MOSFET in nanotechnology
Název v anglickém jazyce
Limits of MOSFET in nanotechnology
Popis výsledku anglicky
Limits of MOSFET in nanotechnology
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the Socrates Workshop 2004
ISBN
80-214-2819-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
105-109
Název nakladatele
Technological Institute of Chania
Místo vydání
Chania
Místo konání akce
Technological Institute of Crete, Chania, Greece
Datum konání akce
14. 9. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—