Budiče výkonových tranzistorů MOSFET a IGBT

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46543" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46543 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Drivers for power transistors MOSFET a IGBT

Popis výsledku v původním jazyce

This contribution describes a concrete construction of a driver for power transistors MOSFET and IGBT. A galvanic separation by high frequency transformers is used. A very low delay of the transferred switching signal was achieved with this construction.The most important advantage of the construction is the obtained high immunity to the du/dt voltage slope between the primary and secondary side of the driver.

Název v anglickém jazyce

Drivers for power transistors MOSFET a IGBT

Popis výsledku anglicky

This contribution describes a concrete construction of a driver for power transistors MOSFET and IGBT. A galvanic separation by high frequency transformers is used. A very low delay of the transferred switching signal was achieved with this construction.The most important advantage of the construction is the obtained high immunity to the du/dt voltage slope between the primary and secondary side of the driver.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ElectronicsLetters.com - http://www.electronicsletters.com

ISSN

1213-161X

e-ISSN

—

Svazek periodika

2004

Číslo periodika v rámci svazku

1/5

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

1-9

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—