Nízkofrekvenční měření šumu použité v světloaktivních polovodičových součástkách

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU50233" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU50233 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low-frequency noise measurements used for semiconductor light active devices
Popis výsledku v původním jazyce
Three different sets of semiconductors light active devices were by low noise diagnostic described. In the first set the low frequency noise of 2.3 microm CW GaSb based laser diodes was measured, in set II the noise characteristic of forward biased silicon monocrystalline solar cells were measured and in set III the noise characteristic of forward biased Si:H amorphous solar cells were measured.
Název v anglickém jazyce
Low-frequency noise measurements used for semiconductor light active devices
Popis výsledku anglicky
Three different sets of semiconductors light active devices were by low noise diagnostic described. In the first set the low frequency noise of 2.3 microm CW GaSb based laser diodes was measured, in set II the noise characteristic of forward biased silicon monocrystalline solar cells were measured and in set III the noise characteristic of forward biased Si:H amorphous solar cells were measured.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GP102%2F05%2FP199" target="_blank" >GP102/05/P199: Nové metody nedestruktivního testování kvality kontaktů fotovoltaických článků</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)