Šum RTS v submikronových MOSFETech: efekty nízké a vysoké intenzity pole

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52191" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52191 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

RTS Noise in Submicron MOSFETs: Low and High Field Effects

Popis výsledku v původním jazyce

RTS noise amplitude and capture and emission processes time constants are analysed as a function of gate and drain voltage / lateral electric field intensity in submicron MOSFETs

Název v anglickém jazyce

RTS Noise in Submicron MOSFETs: Low and High Field Effects

Popis výsledku anglicky

RTS noise amplitude and capture and emission processes time constants are analysed as a function of gate and drain voltage / lateral electric field intensity in submicron MOSFETs

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of EDS'05 Electronic Devices and Systems IMAPS CS Int. Conf.

ISBN

80-214-2990-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Název nakladatele

VUT

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

15. 9. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—