šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU57131" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU57131 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Popis výsledku v původním jazyce

V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech vestruktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcovánísvětla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuacesvětelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a d

Název v anglickém jazyce

Noise fluctuation in MOSFET structures

Popis výsledku anglicky

Over the last years was established, that mostly semiconductor electronic devices are sources of current and voltage fluctuations. Not only the vicinity of PN junctions but also homogenous semiconductors are sources of many type of noises. Origin of those sources are defects in structure or devects in the vicinity of PN jubctions. There are several methods in the range of non-destructive testing of electronic components. Methods of noise spectroscopy appear from the fact, that transport of carriers andother processes are stochastic, this fact is in macroscopic point of view expressed as mostly current or voltage fluctuations. Statistical characteristics of those fluctuations bring us worthy informations about processes running in observed systems andcomplete the mena square values of macroscopical quantities.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

ISBN

80-7355-062-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

95

Strana od-do

89-183

Název nakladatele

VUT Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

12. 12. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—