Teplotní závislost optického přijímače s lavinovou fotodiodou
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU62359" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU62359 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Temperature Dependence of Sensitivity of Avalanche Photodiode Based Optical Receiver
Popis výsledku v původním jazyce
In the paper, the temperature dependence of the sensitivity of an avalanche-photodiode-based receiver applied in the free space optical communication link is discussed. Communication systems of this type are exposed to a wide range of operating temperatures, which markedly affect many photodiode and preamplifier parameters. The paper describes receiver sensitivity calculation, taking into consideration the temperature dependence of avalanche photodiode gain, excess noise factor, dark current and thermalnoise of preamplifier resistances. Presented calculation is demonstrated on the connection of a small-area silicon APD operating in the wavelength range from 820 to 1150 nm with a transimpedance preamplifier using a bipolar junction transistor.
Název v anglickém jazyce
Temperature Dependence of Sensitivity of Avalanche Photodiode Based Optical Receiver
Popis výsledku anglicky
In the paper, the temperature dependence of the sensitivity of an avalanche-photodiode-based receiver applied in the free space optical communication link is discussed. Communication systems of this type are exposed to a wide range of operating temperatures, which markedly affect many photodiode and preamplifier parameters. The paper describes receiver sensitivity calculation, taking into consideration the temperature dependence of avalanche photodiode gain, excess noise factor, dark current and thermalnoise of preamplifier resistances. Presented calculation is demonstrated on the connection of a small-area silicon APD operating in the wavelength range from 820 to 1150 nm with a transimpedance preamplifier using a bipolar junction transistor.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1358" target="_blank" >GA102/06/1358: Metodika návrhu optických bezkabelových spojů s vysokou spolehlivostí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
The International Conference on Communication Technology
ISBN
1-4244-0800-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
482-485
Název nakladatele
China Institute of Communications
Místo vydání
Guilin, CHINA
Místo konání akce
Guilin
Datum konání akce
27. 11. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—