Design of NbN Superconducting Band Pass Filters at 30GHz for High Speed RSFQ Data converter

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU76060" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU76060 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Design of NbN Superconducting Band Pass Filters at 30GHz for High Speed RSFQ Data converter

Popis výsledku v původním jazyce

We are presenting the design of planar band pass (BP) filter with 30 GHz center frequency. The filter is designed as front selective and impedance matching circuit for RSFQ based (Rapid Single Flux Quantum) A/D converter operating at 9K. It will be implemented in NbN thin superconducting films (critical temperature Tc=16K) on a Si+SiO2 substrate. The design approach is experimentally verified at lower frequencies (5GHz) by structures realized on RO3006 substrate [1]. In the design, we aim to reach a high attenuation in the stopband and the variable output impedance of filter. We have designed a first NbN CPW filter for extracting parameters from our fabrication process. The measured parameters (kinetic inductance, London penetration depth etc.) will beused for adjusting of the future design of 50 ohm/2 ohm CPW filter

Název v anglickém jazyce

Design of NbN Superconducting Band Pass Filters at 30GHz for High Speed RSFQ Data converter

Popis výsledku anglicky

We are presenting the design of planar band pass (BP) filter with 30 GHz center frequency. The filter is designed as front selective and impedance matching circuit for RSFQ based (Rapid Single Flux Quantum) A/D converter operating at 9K. It will be implemented in NbN thin superconducting films (critical temperature Tc=16K) on a Si+SiO2 substrate. The design approach is experimentally verified at lower frequencies (5GHz) by structures realized on RO3006 substrate [1]. In the design, we aim to reach a high attenuation in the stopband and the variable output impedance of filter. We have designed a first NbN CPW filter for extracting parameters from our fabrication process. The measured parameters (kinetic inductance, London penetration depth etc.) will beused for adjusting of the future design of 50 ohm/2 ohm CPW filter

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the International Workshop on Teleinformatics and Electromagnetic Field

ISBN

978-80-214-3718-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

UTEE, FEKT VUT v Brně

Místo vydání

Paris

Místo konání akce

Paříž

Datum konání akce

8. 9. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—