Model poruch v oxidu pro tranzistor MOS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU78948" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU78948 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Gate oxide failure model of MOS transistors
Popis výsledku v původním jazyce
Gate oxide failure model of MOS transistors
Název v anglickém jazyce
Gate oxide failure model of MOS transistors
Popis výsledku anglicky
Gate oxide failure model of MOS transistors
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Electronic Devices nad Systems 2008
ISBN
978-80-214-3717-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
Z. Novotný
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
10. 9. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—