RTS šum a poloha pastí v tranzistorech MOSFET

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU81663" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU81663 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
RTS noise and location of traps in MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Random Telegraph Signal (RTS) noise was measured in submicron MOSFETs under various biasing conditions from subthreshold to inversion region and dependence of amplitude and mean time of capture and emission on electric field and electron concentration analyzed. Numerical model of charge carrier transport in the channel was used to estimate trap position between the source and drain electrodes from experimental characteristics.
Název v anglickém jazyce
RTS noise and location of traps in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Random Telegraph Signal (RTS) noise was measured in submicron MOSFETs under various biasing conditions from subthreshold to inversion region and dependence of amplitude and mean time of capture and emission on electric field and electron concentration analyzed. Numerical model of charge carrier transport in the channel was used to estimate trap position between the source and drain electrodes from experimental characteristics.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)