GRT Model of RTS Noise in MOSFETs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU82371" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU82371 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GRT Model of RTS Noise in MOSFETs
Popis výsledku v původním jazyce
Random Telegraph Signal (RTS) noise in submicron MOSFETs showing a capture process, which deviates from the standard Shockley-Read-Hall kinetics, is analyzed using generation-recombination-tunneling model of current modulation in order to explain quadratic dependence of capture rate on current. Proposed model of two-step charge carrier quantum transitions involving secondary trap at the channel and gate oxide interface better represents observed complex switching phenomena in nanoscale devices, as is confirmed by presented experimental results.
Název v anglickém jazyce
GRT Model of RTS Noise in MOSFETs
Popis výsledku anglicky
Random Telegraph Signal (RTS) noise in submicron MOSFETs showing a capture process, which deviates from the standard Shockley-Read-Hall kinetics, is analyzed using generation-recombination-tunneling model of current modulation in order to explain quadratic dependence of capture rate on current. Proposed model of two-step charge carrier quantum transitions involving secondary trap at the channel and gate oxide interface better represents observed complex switching phenomena in nanoscale devices, as is confirmed by presented experimental results.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1920" target="_blank" >GA102/09/1920: Stochastické jevy v polovodičových strukturách MIS a MIM</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proc. IEEE 21st Int. Conf. on Microelectronics ICM 2009
ISBN
978-1-4244-5815-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Neuveden
Místo konání akce
Marrakéš
Datum konání akce
19. 12. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—