Comparison of relaxation properties of n-type and p-type CdTe single crystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU87864" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU87864 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Comparison of relaxation properties of n-type and p-type CdTe single crystals
Popis výsledku v původním jazyce
The bulk resistance of several CdTe single crystals was measured during long time interval with an applied external voltage. The measurements showed that the sample bulk resistance decreases very slowly after an external electric field was applied. Slowrelaxation processes were also observed at temperature changes. The analysis showed that the main difference in relaxation processes between n-type samples and p-type samples is that the bulk resistance of n-type samples changes mainly due to the electron concentration with the temperature changing and the main process in p-type samples with the temperature changing is the hole mobility changing.
Název v anglickém jazyce
Comparison of relaxation properties of n-type and p-type CdTe single crystals
Popis výsledku anglicky
The bulk resistance of several CdTe single crystals was measured during long time interval with an applied external voltage. The measurements showed that the sample bulk resistance decreases very slowly after an external electric field was applied. Slowrelaxation processes were also observed at temperature changes. The analysis showed that the main difference in relaxation processes between n-type samples and p-type samples is that the bulk resistance of n-type samples changes mainly due to the electron concentration with the temperature changing and the main process in p-type samples with the temperature changing is the hole mobility changing.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GPP102%2F10%2FP589" target="_blank" >GPP102/10/P589: Šumová spektroskopie CdTe detektorů rentgenového a gamma záření.</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ICMEE 2010 - 2nd International Conference on Mechanical and Electronics Engineering
ISBN
978-1-4244-7480-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Dr. Jianhong Zhou
Místo vydání
Kyoto, Japan
Místo konání akce
Kyoto
Datum konání akce
1. 8. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—