Photoluminescence scanner of the solar cell
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU90088" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU90088 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photoluminescence scanner of the solar cell
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents an innovated method for material diagnostic using the photoluminescence induced by focused laser beam (mapping) and detected by photomultiplier tube amplifier. The common photoluminescence method is used for detecting material defectsin substrate quite often. It requires a first-rate camera with CCD chip and high power monochromatic source of light and high quality filters separating the luminescence light and the source light. Our new method with photomultiplier tube amplifier is able to detect photons emitted by tested material which are not able to be detected by common even more high-rate CCD chip camera and for this reason we can analyze more specific defects in silicon structure than common photoluminescence equipment.
Název v anglickém jazyce
Photoluminescence scanner of the solar cell
Popis výsledku anglicky
This paper presents an innovated method for material diagnostic using the photoluminescence induced by focused laser beam (mapping) and detected by photomultiplier tube amplifier. The common photoluminescence method is used for detecting material defectsin substrate quite often. It requires a first-rate camera with CCD chip and high power monochromatic source of light and high quality filters separating the luminescence light and the source light. Our new method with photomultiplier tube amplifier is able to detect photons emitted by tested material which are not able to be detected by common even more high-rate CCD chip camera and for this reason we can analyze more specific defects in silicon structure than common photoluminescence equipment.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0859" target="_blank" >GA102/09/0859: Souvislost lokální emise světla se stochastickými jevy v PN přechodu solárních článků při velmi nízkých teplotách.</a><br>
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
ISBN
3-936338-26-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
—
Název nakladatele
WIP
Místo vydání
Valencie
Místo konání akce
Valencia
Datum konání akce
6. 9. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—