Using RADFETs for alpha radiation dosimetry

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU113730" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU113730 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Using RADFETs for alpha radiation dosimetry

Popis výsledku v původním jazyce

The effects of alpha irradiation on the change in threshold voltage have been measured for standard RADFET die housed in a custom package. The intended application is for monitoring process stability in an ion implantation process. The results show thatthese devices exhibit good promise for use as a routine dosimeter for periodic comparison of the stability of the process.

Název v anglickém jazyce

Using RADFETs for alpha radiation dosimetry

Popis výsledku anglicky

The effects of alpha irradiation on the change in threshold voltage have been measured for standard RADFET die housed in a custom package. The intended application is for monitoring process stability in an ion implantation process. The results show thatthese devices exhibit good promise for use as a routine dosimeter for periodic comparison of the stability of the process.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings, 12th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2011) : Sevilla, Spain, September 19-23, 2011

ISBN

9781457705854

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Sevilla, Spain

Místo konání akce

Sevila

Datum konání akce

19. 9. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—