Mutators for Transforming Nonlinear Resistor Into Memristor
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU93405" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU93405 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60162694:G43__/11:00446604
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mutators for Transforming Nonlinear Resistor Into Memristor
Popis výsledku v původním jazyce
A method of analogue emulation of the memristor with its prescribed charge (qM)-flux (phiM) constitutive relation is presented. The memristor is emulated via a resistor with nonlinear current (iR)-voltage (vR) relationship, and a mutator. The purpose of the mutator is to provide a similarity transformation of the current-voltage characteristic of the resistor into the constitutive relation of the memristor according to the equations qM=kyiR, phiM =kxvR, or phiM=kyiR, qM=kxvR, where kx, ky are real numbers fulfilling the condition kxky>0. It is shown that there are eight versions of these mutators. One of them is selected for experimental verification.
Název v anglickém jazyce
Mutators for Transforming Nonlinear Resistor Into Memristor
Popis výsledku anglicky
A method of analogue emulation of the memristor with its prescribed charge (qM)-flux (phiM) constitutive relation is presented. The memristor is emulated via a resistor with nonlinear current (iR)-voltage (vR) relationship, and a mutator. The purpose of the mutator is to provide a similarity transformation of the current-voltage characteristic of the resistor into the constitutive relation of the memristor according to the equations qM=kyiR, phiM =kxvR, or phiM=kyiR, qM=kxvR, where kx, ky are real numbers fulfilling the condition kxky>0. It is shown that there are eight versions of these mutators. One of them is selected for experimental verification.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F1614" target="_blank" >GAP102/10/1614: Memristivní, memkapacitivní a meminduktivní systémy: základní výzkum, modelování a simulace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the ECCTD 2011
ISBN
9781457706189
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
488-491
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Linkoping, Sweden
Místo konání akce
Linkoping, Sweden
Datum konání akce
29. 8. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—