Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU95477" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU95477 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli
Popis výsledku v původním jazyce
Článek se zabývá chováním nanostruktury v elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.
Název v anglickém jazyce
Simulation of behavior of quantum dot in electrostatic fields
Popis výsledku anglicky
Paper deals with behavior of nanostructure in electrostatic fields. The nanostructure contains a Si quantum dot, embedded in SiO2. Paper presents results of numerical evaluation of ground state wave and probability function.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)