Noise and Local Diagnostics of Laser Notches on Silicon Solar Cells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU105059" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU105059 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Noise and Local Diagnostics of Laser Notches on Silicon Solar Cells
Popis výsledku v původním jazyce
Paper deals with diagnostics of crystalline silicon solar cells with structures prepared by application of laser technologies. These laser-generated structures should help to isolate the edges of solar cells and also should isolate bulk defects. At the present we are trying to find the optimal parameters of laser processing. Laser parameters influencing how deep the laser notch is realized. We tried to determine what depth of the notch seems to be an ideal. Noise diagnostic methods are used for our study. These methods are based on the study of electrically measurable fluctuation quantities, especially electrical voltage and current, complemented by the transport characteristics. Electrical models describing behaviour of laser-prepared structures wereput forward. The study of optical near-field and far-field will be also realized. Measurement of local radiation from solar cells during electrical excitation were carried out.
Název v anglickém jazyce
Noise and Local Diagnostics of Laser Notches on Silicon Solar Cells
Popis výsledku anglicky
Paper deals with diagnostics of crystalline silicon solar cells with structures prepared by application of laser technologies. These laser-generated structures should help to isolate the edges of solar cells and also should isolate bulk defects. At the present we are trying to find the optimal parameters of laser processing. Laser parameters influencing how deep the laser notch is realized. We tried to determine what depth of the notch seems to be an ideal. Noise diagnostic methods are used for our study. These methods are based on the study of electrically measurable fluctuation quantities, especially electrical voltage and current, complemented by the transport characteristics. Electrical models describing behaviour of laser-prepared structures wereput forward. The study of optical near-field and far-field will be also realized. Measurement of local radiation from solar cells during electrical excitation were carried out.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), IEEE Catalog Number CFP1392N-USB
ISBN
978-1-4799-0670-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
Neuveden
Místo vydání
Montpellier
Místo konání akce
Montpellier, France
Datum konání akce
24. 6. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—