Noise sources in interface between mono-crystalline and amorphous semiconductors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU106162" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU106162 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Noise sources in interface between mono-crystalline and amorphous semiconductors

Popis výsledku v původním jazyce

RTS noise in Si/SiO2, InGaAs/InAlAs and GaN/AlGaN structures was analysed and several important trap parameters, such as cross-section, activation energy and position in the channel could be estimated.

Název v anglickém jazyce

Noise sources in interface between mono-crystalline and amorphous semiconductors

Popis výsledku anglicky

RTS noise in Si/SiO2, InGaAs/InAlAs and GaN/AlGaN structures was analysed and several important trap parameters, such as cross-section, activation energy and position in the channel could be estimated.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of 8th solid state surfaces and interfaces

ISBN

978-80-223-3501-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

128-129

Název nakladatele

Comenius University

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Snolenice

Datum konání akce

18. 11. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—