Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APA21134" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PA21134 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf" target="_blank" >http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím
Popis výsledku v původním jazyce
Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu "master - slave" a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace.
Název v anglickém jazyce
Bulk-controlled sub-threshold MOS resistors for low-voltage applications
Popis výsledku anglicky
In this embodiment a bulk-controlled MOS resistor and the associated automatic tuning circuit are proposed. The MOS device operates in the subthreshold region and in linear regime offering relatively high resistance value. The resistance value is adjusted through the bulk terminal using a suitable automatic tuning circuit in order to achieve process and temperature stability. The automatic tuning circuit is based on the master-slave technique in which the resistance of a slave MOS device is locked by the automatic tuning circuit modifying appropriately the bulk-voltage of the master MOS device. The same bulk voltage is shared to the slave device.
Klasifikace
Druh
P - Patent
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů (SIX)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
304766
Vydavatel
CZ001 -
Název vydavatele
Industrial Property Office
Místo vydání
Prague
Stát vydání
CZ - Česká republika
Datum přijetí
20. 8. 2014
Název vlastníka
Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence