Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Study of Parallel L beta C alpha-Circuit

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APU109927" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PU109927 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Study of Parallel L beta C alpha-Circuit

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This article analyzes parallel resonant circuit containing fractional capacitor and inductor. Relations for complex impedance, resonant frequency, and resistance at this frequency are derived. These formulas are then expressed graphically. The influence of the exponents of frequency dependence of impedance alpha and beta is especially emphasized which is not present when classical elements are used. The possibilities of practical implementation of fractional elements are introduced whereas RC elements with distributed parameters are preferred. An example of fractional capacitor made by thick-film technology is shown and rules for finding its parameters are stated.

  • Název v anglickém jazyce

    Study of Parallel L beta C alpha-Circuit

  • Popis výsledku anglicky

    This article analyzes parallel resonant circuit containing fractional capacitor and inductor. Relations for complex impedance, resonant frequency, and resistance at this frequency are derived. These formulas are then expressed graphically. The influence of the exponents of frequency dependence of impedance alpha and beta is especially emphasized which is not present when classical elements are used. The possibilities of practical implementation of fractional elements are introduced whereas RC elements with distributed parameters are preferred. An example of fractional capacitor made by thick-film technology is shown and rules for finding its parameters are stated.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0072" target="_blank" >ED2.1.00/03.0072: Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů (SIX)</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 38th International Conference on Telecommunication and Signal Processing

  • ISBN

    978-1-4799-8497-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    693-697

  • Název nakladatele

    Neuveden

  • Místo vydání

    Neuveden

  • Místo konání akce

    Berlín

  • Datum konání akce

    1. 7. 2014

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000375231000243