Comparison of Reduced Analytic Models for Six-Port Modulators with Different Characteristics

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APU109967" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PU109967 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/7296347" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/7296347</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TSP.2015.7296347" target="_blank" >10.1109/TSP.2015.7296347</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Comparison of Reduced Analytic Models for Six-Port Modulators with Different Characteristics

Popis výsledku v původním jazyce

This article is focused on expression of transfer function for six-port modulators in different level of simplification. Generally, complex transfer function definition of six-port system requires a consideration of all possible paths among ports and also applied impedances of all connected loads. In the following text is evaluated a comparison of transfer functions for two six-ports with very different parameters (expressed by scattering parameters). The first one is a representative of substrate integrated waveguide (SIW) technology and the second one is realized as microstrip circuit. The simulations based on expressed equations are also compared with real measured results using a set of fixed loads in the final part of the paper.

Název v anglickém jazyce

Comparison of Reduced Analytic Models for Six-Port Modulators with Different Characteristics

Popis výsledku anglicky

This article is focused on expression of transfer function for six-port modulators in different level of simplification. Generally, complex transfer function definition of six-port system requires a consideration of all possible paths among ports and also applied impedances of all connected loads. In the following text is evaluated a comparison of transfer functions for two six-ports with very different parameters (expressed by scattering parameters). The first one is a representative of substrate integrated waveguide (SIW) technology and the second one is realized as microstrip circuit. The simulations based on expressed equations are also compared with real measured results using a set of fixed loads in the final part of the paper.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

37th International Conference on Telecommunications and Signal Processing (TSP) 2014

ISBN

978-80-214-4983-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

667-671

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Berlín

Datum konání akce

1. 7. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000375231000238