Inductance Simulator Based on Dual Controlled CMOS Voltage Differencing Current Conveyor
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F16%3APU120723" target="_blank" >RIV/00216305:26220/16:PU120723 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/7870087" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/7870087</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/MWSCAS.2016.7870087" target="_blank" >10.1109/MWSCAS.2016.7870087</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Inductance Simulator Based on Dual Controlled CMOS Voltage Differencing Current Conveyor
Popis výsledku v původním jazyce
The voltage differencing current conveyor (VDCC) based lossless/lossy inductance simulator with the advantage of extended (i.e. dual-controlled) range of equivalent inductance value and possibility of reconfiguration of polarity is presented in this study. These unconventional features are available because of newly designed CMOS structure of VDCC element. VDCC was fabricated lately in I2T100 0.7 um technology. Relevant VDCC-based inductance simulators are compared briefly with attention to controllability of inductance value especially. Theoretical expectations are compared with experimental results of an inductance simulator prototype obtained in laboratory measurements of proposed circuit based mainly on VDCC chip and its unique features are provided.
Název v anglickém jazyce
Inductance Simulator Based on Dual Controlled CMOS Voltage Differencing Current Conveyor
Popis výsledku anglicky
The voltage differencing current conveyor (VDCC) based lossless/lossy inductance simulator with the advantage of extended (i.e. dual-controlled) range of equivalent inductance value and possibility of reconfiguration of polarity is presented in this study. These unconventional features are available because of newly designed CMOS structure of VDCC element. VDCC was fabricated lately in I2T100 0.7 um technology. Relevant VDCC-based inductance simulators are compared briefly with attention to controllability of inductance value especially. Theoretical expectations are compared with experimental results of an inductance simulator prototype obtained in laboratory measurements of proposed circuit based mainly on VDCC chip and its unique features are provided.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 2016 IEEE 59th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)
ISBN
978-1-5090-0916-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
589-592
Název nakladatele
Khalifa University, UAE
Místo vydání
UAE, Abu Dhabi
Místo konání akce
Abu Dhabi
Datum konání akce
16. 10. 2016
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000404343800148