Elektrodové pole paralelnich nano-kontaktů pro selektivni kontaktování nanodrátů určené pro senzorické aplikace - 1. generace
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APR29175" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PR29175 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://labsensnano.umel.feec.vutbr.cz/admin/editProducts.aspx?id=137&files=pro137" target="_blank" >http://labsensnano.umel.feec.vutbr.cz/admin/editProducts.aspx?id=137&files=pro137</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Elektrodové pole paralelnich nano-kontaktů pro selektivni kontaktování nanodrátů určené pro senzorické aplikace - 1. generace
Popis výsledku v původním jazyce
Elektrodové pole paralélních nano-kontaktů je vhodné pro kontaktovaní různých druhů nanodrátů délky větší než 3 µm a průměry do 300 nm. Tento čip s rozměry 5 x 5 mm obsahuje celkem 4 elektrodove pole s různým počtem kontaktovacích elektrod. Pomocí využití metody tzv. dielektroforézy je možné kontaktovat každé z elektodového pole jiným druhem nanodrátu a tak vytvořit vysoce citlivý selektivní chemický senzor. Čip je dostupný ve dvou modifikacich. První modifikace obsahuje elektrodový systém navržený pouze na dvouelektrodovém rezistivním měření. Druhá obsahuje třetí utopenou elektrodu, která umožňuje modulaci měření odezvy sensoru na principu FET (Field Effect Transistor).
Název v anglickém jazyce
Electrode array of paralel nano-contacts for selective nanowires alignment designed for sensors aplications - 1. generation
Popis výsledku anglicky
The electrode array of parallel contacts is suitable for alignment of different kinds of nanowires with more than 3 µm length and 300 nm in diameter. A chip (5 x 5 mm) obtain 4 electrode arrays in total with a different number of the electrodes. A dielectrophoresis method is used to contact each electrode array with another kind of nanowire and develop a highly sensitive and selective chemical sensor. The chip is available in two topology modification. The first contains two electrode system designed for a resistive type of measurement. Second modification contains buried electrode which serves for modulation of the response of the sensor based on FET principle (Field Effect Transistor).
Klasifikace
Druh
G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
SNW-GSA-1.GEN
Číselná identifikace
143131
Technické parametry
velikost čipu = 5 x 5 cm 4 elektrodové pole pro měření modifikace nanoelektrod čipu: 100, 150, 200 a 300 nm Gate elektroda pro zesileni signálu odezvy
Ekonomické parametry
naklady na výrobu cca 50 tis. Kč
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
—
Název vlastníka
Ústav mikroelektroniky
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
http://labsensnano.umel.feec.vutbr.cz/admin/editProducts.aspx?id=137&files=pro137