Bulk-driven class AB fully-balanced differential difference amplifier

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU123316" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU123316 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21460/17:00320939

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10470-017-1024-1" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s10470-017-1024-1</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10470-017-1024-1" target="_blank" >10.1007/s10470-017-1024-1</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Bulk-driven class AB fully-balanced differential difference amplifier

Popis výsledku v původním jazyce

This paper presents a new low-voltage class AB fully-balanced differential difference amplifier (FB-DDA) employing the bulk-driven technique. At the FB-DDA differential pairs the bulk terminal of the MOS transistors are used as signal inputs in order to increase the common-mode input range (ICM) under low supply voltage. At the class AB output stages the bulk terminal of the MOS transistors are used as control inputs in order to adjust the quiescent currents and compensate them against the process and temperatures (P/T) variation. The voltage supply of the FB-DDA is 0.7 V and the quiescent power consumption is 8.3 uW. The open loop voltage gain is 68 dB and the gain-bandwidth product (GBW) is 168 kHz for 10 pF capacitive load. The circuit performance was simulated in Cadence/Spectre environment using the TSMC 0.18 um CMOS process.

Název v anglickém jazyce

Bulk-driven class AB fully-balanced differential difference amplifier

Popis výsledku anglicky

This paper presents a new low-voltage class AB fully-balanced differential difference amplifier (FB-DDA) employing the bulk-driven technique. At the FB-DDA differential pairs the bulk terminal of the MOS transistors are used as signal inputs in order to increase the common-mode input range (ICM) under low supply voltage. At the class AB output stages the bulk terminal of the MOS transistors are used as control inputs in order to adjust the quiescent currents and compensate them against the process and temperatures (P/T) variation. The voltage supply of the FB-DDA is 0.7 V and the quiescent power consumption is 8.3 uW. The open loop voltage gain is 68 dB and the gain-bandwidth product (GBW) is 168 kHz for 10 pF capacitive load. The circuit performance was simulated in Cadence/Spectre environment using the TSMC 0.18 um CMOS process.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/LO1401" target="_blank" >LO1401: Interdisciplinární výzkum bezdrátových technologií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING

ISSN

0925-1030

e-ISSN

1573-1979

Svazek periodika

2017 (93)

Číslo periodika v rámci svazku

1, IF: 0.623

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

179-187

Kód UT WoS článku

000410451100017

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85024496921