Tantalum Capacitor as a MIS Structure: Transport Characteristic Temperature Dependencies

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU123522" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU123522 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.utee.feec.vutbr.cz/eeict/2017/EEICT%202017-sborn%C3%ADk-komplet.pdf" target="_blank" >http://www.utee.feec.vutbr.cz/eeict/2017/EEICT%202017-sborn%C3%ADk-komplet.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Tantalum Capacitor as a MIS Structure: Transport Characteristic Temperature Dependencies

Popis výsledku v původním jazyce

Temperature dependencies of a leakage current in normal mode are explained on the basis of a model, in which the solid state tantalum capacitor is considered as a metal-insulator-semiconductor (MIS) heterostructure. The measurement was performed in temperature range from 105 to 155°C. Ohmic conductivity increases exponentially with increasing temperature with activation energy 0.94 eV. Tunneling voltage parameter and tunneling energy barrier decreases with increasing temperature, reaching values 0.45 to 0.26 eV.

Název v anglickém jazyce

Tantalum Capacitor as a MIS Structure: Transport Characteristic Temperature Dependencies

Popis výsledku anglicky

Temperature dependencies of a leakage current in normal mode are explained on the basis of a model, in which the solid state tantalum capacitor is considered as a metal-insulator-semiconductor (MIS) heterostructure. The measurement was performed in temperature range from 105 to 155°C. Ohmic conductivity increases exponentially with increasing temperature with activation energy 0.94 eV. Tunneling voltage parameter and tunneling energy barrier decreases with increasing temperature, reaching values 0.45 to 0.26 eV.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

EEICT proceedings of the 23rd conference

ISBN

9788021454965

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

645-649

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

27. 4. 2017

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—