Local isolation of microscale defective areas in monocrysline silicon solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU127871" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU127871 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local isolation of microscale defective areas in monocrysline silicon solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

This article is aimed on characterization of silicon solar cells microstructural inhomoge- neities. To detect inhomogeneity or imperfection, reverse biased current voltage (I-V) measurement is used. These imperfections in some cases may cause avalanche type of breakdown, that can be visible in I-V curve. Therefore, the fact that certain imperfections emit light is used for localization needs. Raw localization is provided by electroluminescence (EL) method. Near-field scanning microscopy (SNOM) combined with photomultiplier tube is used for microscale localization. Both methods are done in reverse bias. Isolation of inhomogeneity by focused ion beam (FIB) is avoid- ing leakage current flow through it.

Název v anglickém jazyce

Local isolation of microscale defective areas in monocrysline silicon solar cells

Popis výsledku anglicky

This article is aimed on characterization of silicon solar cells microstructural inhomoge- neities. To detect inhomogeneity or imperfection, reverse biased current voltage (I-V) measurement is used. These imperfections in some cases may cause avalanche type of breakdown, that can be visible in I-V curve. Therefore, the fact that certain imperfections emit light is used for localization needs. Raw localization is provided by electroluminescence (EL) method. Near-field scanning microscopy (SNOM) combined with photomultiplier tube is used for microscale localization. Both methods are done in reverse bias. Isolation of inhomogeneity by focused ion beam (FIB) is avoid- ing leakage current flow through it.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 24 th Conference STUDENT EEICT 2018

ISBN

978-80-214-5614-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

615

Strana od-do

518-522

Název nakladatele

Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

26. 4. 2018

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—