Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Design of P-Type Photovoltaic Cells Resistant to Potential-Induced Degradation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU128288" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU128288 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8388711/" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8388711/</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/JPHOTOV.2018.2841188" target="_blank" >10.1109/JPHOTOV.2018.2841188</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Design of P-Type Photovoltaic Cells Resistant to Potential-Induced Degradation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The manufacturing process and the new structure of the potential-induced degradation (PID) resistive photovoltaic (PV) cells are described. PV cells are produced in the commonly used technological steps. The structure is modified by using the phosphorus silicate glass (PSG) layers after the diffusion process when the PV cell emitter is created. This modification is made directly at one of the produced sets in the serial production of 6-in PV cells. In the newly created PV cells, the basic parameters (fill factor, VOC, ISC, and PAX) and the thickness of the PSG layer were measured. The values of the parameters were compared with those of the reference PV cells without the PSG layer. The results show that the effect of the PSG layer on the PV cell efficiency is negligible. Both groups of PV cells (the reference group and the new structures) were potential-induced degraded. The PV cells with the PSG layer have shown properties resistive against PID.

  • Název v anglickém jazyce

    Design of P-Type Photovoltaic Cells Resistant to Potential-Induced Degradation

  • Popis výsledku anglicky

    The manufacturing process and the new structure of the potential-induced degradation (PID) resistive photovoltaic (PV) cells are described. PV cells are produced in the commonly used technological steps. The structure is modified by using the phosphorus silicate glass (PSG) layers after the diffusion process when the PV cell emitter is created. This modification is made directly at one of the produced sets in the serial production of 6-in PV cells. In the newly created PV cells, the basic parameters (fill factor, VOC, ISC, and PAX) and the thickness of the PSG layer were measured. The values of the parameters were compared with those of the reference PV cells without the PSG layer. The results show that the effect of the PSG layer on the PV cell efficiency is negligible. Both groups of PV cells (the reference group and the new structures) were potential-induced degraded. The PV cells with the PSG layer have shown properties resistive against PID.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20501 - Materials engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1210" target="_blank" >LO1210: Energie v podmínkách udržitelného rozvoje (EN-PUR)</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Journal of Photovoltaics

  • ISSN

    2156-3381

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    8

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    1215-1221

  • Kód UT WoS článku

    000442366400008

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85048866721