Electrical conductivity of reduced graphene oxide thin-film layers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F18%3APU129347" target="_blank" >RIV/00216305:26220/18:PU129347 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/08701.0253ecst" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1149/08701.0253ecst</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1149/08701.0253ecst" target="_blank" >10.1149/08701.0253ecst</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrical conductivity of reduced graphene oxide thin-film layers
Popis výsledku v původním jazyce
This work deals with the research of the electric properties of thin film layer of reduced graphene oxide. A structure of graphene oxide (GO) is represented by randomly distributed on a surface of substrate small islets of graphene with sp2 hybridized bonds surrounded by wide areas with sp3 bonds functionalized by oxygen groups. When electrons are confined in two-dimensional materials, quantum-mechanically enhanced transport phenomena such as the quantum Hall effect can be observed. Reduced graphene oxide, consisting of an isolated single atomic layer of graphite, is an ideal realization of such a two-dimensional system, therefore the partly semiconductive properties could be observed.
Název v anglickém jazyce
Electrical conductivity of reduced graphene oxide thin-film layers
Popis výsledku anglicky
This work deals with the research of the electric properties of thin film layer of reduced graphene oxide. A structure of graphene oxide (GO) is represented by randomly distributed on a surface of substrate small islets of graphene with sp2 hybridized bonds surrounded by wide areas with sp3 bonds functionalized by oxygen groups. When electrons are confined in two-dimensional materials, quantum-mechanically enhanced transport phenomena such as the quantum Hall effect can be observed. Reduced graphene oxide, consisting of an isolated single atomic layer of graphite, is an ideal realization of such a two-dimensional system, therefore the partly semiconductive properties could be observed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LO1210" target="_blank" >LO1210: Energie v podmínkách udržitelného rozvoje (EN-PUR)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Advanced Batteries Accumulators and Fuel Cells – 19 th ABAF
ISBN
978-80-214-5651-8
ISSN
1938-5862
e-ISSN
1938-6737
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
190-196
Název nakladatele
ECS Transaction
Místo vydání
USA
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
26. 8. 2018
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000464895400029