VOLTAGE THRESHOLD SENSING SYSTEMS AND RELATED METHODS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APA21575" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PA21575 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://appft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch-bool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PG01&s1=Londak&OS=Londak&RS=Londak" target="_blank" >http://appft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsearch-bool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PG01&s1=Londak&OS=Londak&RS=Londak</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
VOLTAGE THRESHOLD SENSING SYSTEMS AND RELATED METHODS
Popis výsledku v původním jazyce
Implementations of voltage sensing systems may include: a high side current mirror coupled to a reference current source coupled to at least one diode. The at least one diode may be coupled to a resistor and to a comparator. The resistor may be coupled to the ground. The comparator may be coupled with a reference voltage. The comparator may be configured to receive a comparison voltage from the diode and output whether the comparison voltage is higher or lower than the reference voltage.
Název v anglickém jazyce
VOLTAGE THRESHOLD SENSING SYSTEMS AND RELATED METHODS
Popis výsledku anglicky
Implementations of voltage sensing systems may include: a high side current mirror coupled to a reference current source coupled to at least one diode. The at least one diode may be coupled to a resistor and to a comparator. The resistor may be coupled to the ground. The comparator may be coupled with a reference voltage. The comparator may be configured to receive a comparison voltage from the diode and output whether the comparison voltage is higher or lower than the reference voltage.
Klasifikace
Druh
P - Patent
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
20190056435
Vydavatel
US001 -
Název vydavatele
United States Patent and Trademark Office (USPTO)
Místo vydání
Alexandria
Stát vydání
US - Spojené státy americké
Datum přijetí
21. 2. 2019
Název vlastníka
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence