A 0.3-V High Linear Rail-to-Rail Bulk-Driven OTA in 0.13 mu m CMOS
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F22%3APU144309" target="_blank" >RIV/00216305:26220/22:PU144309 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21460/22:00357863
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1109/TCSII.2022.3144095" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/TCSII.2022.3144095</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2022.3144095" target="_blank" >10.1109/TCSII.2022.3144095</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A 0.3-V High Linear Rail-to-Rail Bulk-Driven OTA in 0.13 mu m CMOS
Popis výsledku v původním jazyce
A new solution for an ultra-low-voltage (ULV), linear operational transconductance amplifier (OTA) is presented in this brief. The circuit is based on a non-tailed, classAB differential stage, combined with an additional linear resistor, which suppress the third-order harmonic term component, thus providing a highly linear DC transfer characteristic with no extra power consumption. While fabricated in a 0.13 mu m CMOS process, and supplied with V-DD of 0.3 V, the circuit provides rail to rail input range with THD below 0.5 % for a nominal transconductance of 2.93 mu S. The transconductance can be tuned from 1.41 mu S to 5.72 mu S, with rail-to-rail input swing and THD below 1%. Thanks to its compact structure, the circuit occupies only 935 mu m(2), with transconductance/power ratio of 5.75 mu S/mu W.
Název v anglickém jazyce
A 0.3-V High Linear Rail-to-Rail Bulk-Driven OTA in 0.13 mu m CMOS
Popis výsledku anglicky
A new solution for an ultra-low-voltage (ULV), linear operational transconductance amplifier (OTA) is presented in this brief. The circuit is based on a non-tailed, classAB differential stage, combined with an additional linear resistor, which suppress the third-order harmonic term component, thus providing a highly linear DC transfer characteristic with no extra power consumption. While fabricated in a 0.13 mu m CMOS process, and supplied with V-DD of 0.3 V, the circuit provides rail to rail input range with THD below 0.5 % for a nominal transconductance of 2.93 mu S. The transconductance can be tuned from 1.41 mu S to 5.72 mu S, with rail-to-rail input swing and THD below 1%. Thanks to its compact structure, the circuit occupies only 935 mu m(2), with transconductance/power ratio of 5.75 mu S/mu W.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS
ISSN
1549-7747
e-ISSN
1558-3791
Svazek periodika
69
Číslo periodika v rámci svazku
4, IF: 3,292
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
2046-2050
Kód UT WoS článku
000773270900015
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85123359424