Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A Simple Calorimetric Measurement of SiC MOSFET Switching Loss and Comparison with Electric Measurement

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F22%3APU146451" target="_blank" >RIV/00216305:26220/22:PU146451 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://www.eeict.cz/eeict_download/archiv/sborniky/EEICT_2022_sbornik_2_v3.pdf" target="_blank" >https://www.eeict.cz/eeict_download/archiv/sborniky/EEICT_2022_sbornik_2_v3.pdf</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A Simple Calorimetric Measurement of SiC MOSFET Switching Loss and Comparison with Electric Measurement

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper proposes a simple and accessible method for dynamic calorimetric measurement of ultra-fast power semiconductor devices switching loss. It utilizes a temperature rise monitoring of a copper cube thermally coupled with a semiconductor chip. No special chambers or heat exchangers are used and no additional wiring compared to standard electric pulsed test. This provides an opportunity to perform a direct comparison with traditional electric power loss measurement, including all of the parasitic influences and further investigation of power loss with intentional varying of particular elements impact, which absent in available literature. The paper establishes the test method and setup as well a basic comparison of calorimetric and electric measurement.

  • Název v anglickém jazyce

    A Simple Calorimetric Measurement of SiC MOSFET Switching Loss and Comparison with Electric Measurement

  • Popis výsledku anglicky

    This paper proposes a simple and accessible method for dynamic calorimetric measurement of ultra-fast power semiconductor devices switching loss. It utilizes a temperature rise monitoring of a copper cube thermally coupled with a semiconductor chip. No special chambers or heat exchangers are used and no additional wiring compared to standard electric pulsed test. This provides an opportunity to perform a direct comparison with traditional electric power loss measurement, including all of the parasitic influences and further investigation of power loss with intentional varying of particular elements impact, which absent in available literature. The paper establishes the test method and setup as well a basic comparison of calorimetric and electric measurement.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    PROCEEDINGS II OF THE 28TH STUDENT EEICT 2022 Selected Papers

  • ISBN

    978-80-214-6030-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    198-203

  • Název nakladatele

    Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Technology

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    26. 4. 2022

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku