Modeling and Emulation of Extended Memristors: Two-Port Approach Revisited

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F26%3A0193851" target="_blank" >RIV/00216305:26220/26:0193851 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60162694:G43__/26:00563867

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10701010" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10701010</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2024.3471689" target="_blank" >10.1109/TCSII.2024.3471689</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modeling and Emulation of Extended Memristors: Two-Port Approach Revisited

Popis výsledku v původním jazyce

There have been many attempts to emulate extended memristors as models of real-world devices using Graetz diode bridges with capacitive loads and similar techniques. In this brief, these systems are studied comprehensively as special cases of nonlinear resistive two-ports with reactance loads. The conditions that must be satisfied in order to transform a load into a generic memristor are formulated. It is shown that some hitherto published circuits may not automatically satisfy these conditions, so that in general they may not be extended memristors. The relevant circuit theorems are verified by laboratory experiments.

Název v anglickém jazyce

Modeling and Emulation of Extended Memristors: Two-Port Approach Revisited

Popis výsledku anglicky

There have been many attempts to emulate extended memristors as models of real-world devices using Graetz diode bridges with capacitive loads and similar techniques. In this brief, these systems are studied comprehensively as special cases of nonlinear resistive two-ports with reactance loads. The conditions that must be satisfied in order to transform a load into a generic memristor are formulated. It is shown that some hitherto published circuits may not automatically satisfy these conditions, so that in general they may not be extended memristors. The relevant circuit theorems are verified by laboratory experiments.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20200 - Electrical engineering, Electronic engineering, Information engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GA24-12982S" target="_blank" >GA24-12982S: Impedanční spektroskopie objektů s dynamikou necelistvého řádu: Nový přístup k modelování</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2025

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs

ISSN

1549-7747

e-ISSN

1558-3791

Svazek periodika

72

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

298-302

Kód UT WoS článku

001383055900049

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85205917072