Locally resolved topography and spectroscopy of semiconductors (with lateral resolution better than of 250 nm)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F98%3APU37579" target="_blank" >RIV/00216305:26220/98:PU37579 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Locally resolved topography and spectroscopy of semiconductors (with lateral resolution better than of 250 nm)

Popis výsledku v původním jazyce

Locally resolved topography of semiconductor surface and jonction has been investigated and first results presnted.

Název v anglickém jazyce

Locally resolved topography and spectroscopy of semiconductors (with lateral resolution better than of 250 nm)

Popis výsledku anglicky

Locally resolved topography of semiconductor surface and jonction has been investigated and first results presnted.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC%20523.40" target="_blank" >OC 523.40: Nanostruktury: Optické a elektrické charakteristiky</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

1998

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. of 5th Int.Conf. Electronic devices and systems 1998

ISBN

80-214-1198-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

173-176

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

30. 11. 1998

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—