Charge carrier transport in semiconductors: a fractal approach

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F12%3APU97234" target="_blank" >RIV/00216305:26310/12:PU97234 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Charge carrier transport in semiconductors: a fractal approach

Popis výsledku v původním jazyce

The knowledge of parameters influencing the charge carrier transport is a crucial requirement for the characterization of electrical properties of materials. In this paper the theory of charge transport and injection current for trap-free low conductivity material and insulator containing charge carrier traps is presented in fractals formalism

Název v anglickém jazyce

Charge carrier transport in semiconductors: a fractal approach

Popis výsledku anglicky

The knowledge of parameters influencing the charge carrier transport is a crucial requirement for the characterization of electrical properties of materials. In this paper the theory of charge transport and injection current for trap-free low conductivity material and insulator containing charge carrier traps is presented in fractals formalism

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/FR-TI1%2F144" target="_blank" >FR-TI1/144: *Multikomponentní elektronické systémy na bázi organických sloučenin</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů