Advanced space-charge-limited current model for analyzing fermi level shift in the bandgap of halide perovskites
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F26%3A0198537" target="_blank" >RIV/00216305:26310/26:0198537 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://www.nature.com/articles/s42005-025-02202-1" target="_blank" >https://www.nature.com/articles/s42005-025-02202-1</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/s42005-025-02202-1" target="_blank" >10.1038/s42005-025-02202-1</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Advanced space-charge-limited current model for analyzing fermi level shift in the bandgap of halide perovskites
Popis výsledku v původním jazyce
Understanding how charge carriers behave in semiconductors is key to improving next-generation optoelectronic devices. Here we introduce an advanced space-charge-limited current model that enables detailed extraction of mobility, charge carrier concentrations, and Fermi level position from voltage- and energy-dependent analysis. Applying this model to two promising halide perovskites, methylammonium lead bromide and methylammonium lead iodide, we observe a strong photoresponse, with significant increases in microscopic mobility and free carrier density under illumination. Interestingly, the behavior of trapped charges and Fermi level shifts differs between the two materials, revealing distinct transport mechanisms. This model offers a powerful tool for characterizing semiconductors and could accelerate the development of more efficient light-sensitive devices.
Název v anglickém jazyce
Advanced space-charge-limited current model for analyzing fermi level shift in the bandgap of halide perovskites
Popis výsledku anglicky
Understanding how charge carriers behave in semiconductors is key to improving next-generation optoelectronic devices. Here we introduce an advanced space-charge-limited current model that enables detailed extraction of mobility, charge carrier concentrations, and Fermi level position from voltage- and energy-dependent analysis. Applying this model to two promising halide perovskites, methylammonium lead bromide and methylammonium lead iodide, we observe a strong photoresponse, with significant increases in microscopic mobility and free carrier density under illumination. Interestingly, the behavior of trapped charges and Fermi level shifts differs between the two materials, revealing distinct transport mechanisms. This model offers a powerful tool for characterizing semiconductors and could accelerate the development of more efficient light-sensitive devices.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10300 - Physical sciences
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA25-17500S" target="_blank" >GA25-17500S: Laditelné perovskitové metapovrchy pro novou generaci optických kvantových technologií</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Communications Physics
ISSN
—
e-ISSN
2399-3650
Svazek periodika
8
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
1-10
Kód UT WoS článku
001523035700001
EID výsledku v databázi Scopus
—