Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Experimental study of glass frit bonding

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F12%3APU98794" target="_blank" >RIV/00216305:26620/12:PU98794 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Experimental study of glass frit bonding

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Glass frit bonding technology provides a wide range of possibilities for the bonding of wafers at process temperatures below 450 C. The process consists of three main steps: screen-printing of the glass paste, thermal conditioning and thermo-compressivebonding. The structured bonding layer protects moveable structures from parasitic bonding. Almost all surface layers commonly used in silicon micromachining can be bonded using glass frits. The main advantages of glass frit bonding are hermetic sealing,high process yield, low mechanical stress at the bonding interface, high bonding strength, and good reliability.

  • Název v anglickém jazyce

    Experimental study of glass frit bonding

  • Popis výsledku anglicky

    Glass frit bonding technology provides a wide range of possibilities for the bonding of wafers at process temperatures below 450 C. The process consists of three main steps: screen-printing of the glass paste, thermal conditioning and thermo-compressivebonding. The structured bonding layer protects moveable structures from parasitic bonding. Almost all surface layers commonly used in silicon micromachining can be bonded using glass frits. The main advantages of glass frit bonding are hermetic sealing,high process yield, low mechanical stress at the bonding interface, high bonding strength, and good reliability.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    XII. Pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků

  • ISBN

    978-80-7375-618-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    214-215

  • Název nakladatele

    Mendelova univerzita v Brně

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    30. 5. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku